Sku: MZ-V9S2T0B-AM
Marca:Samsung
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Por décadas, a memória flash NAND da Samsung impulsionou tecnologias inovadoras que mudaram todos os aspectos do nosso dia a dia. Essa tecnologia flash NAND também impulsiona nossos SSDs de consumo, abrindo espaço para o próximo grande impulso da inovação.
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Eficiência otimizada, desempenho estendido. O controlador revestido de níquel aumenta a taxa de MB/s por Watt em 73%, alcançando o mesmo nível de potência e controle térmico com menor consumo de energia. Mantenha o foco no trabalho ou na diversão sem preocupações com superaquecimento ou duração da bateria.
| Marca: | Samsung |
|---|---|
| Modelo: | MZ-V9S2T0B-AM |
| Capacidade: | 2TB |
| Formato: | M.2 (2280) |
| Interface: | PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe ™ 2.0 |
| Memória de armazenamento: | Samsung V NAND TLC (V8) |
| Controlador: | Controlador interno da Samsung |
| Memória cache: | HMB (Buffer de Memória do Host) |
| Velocidade de leitura: | Até 7.250 MB/s |
| Velocidade de gravação: | Até 6.300 MB/s |
| Suporte de criptografia: | Classe 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) |
| TBW: | 1,200 TBW |
| Dimensões: | 0,9 x 0,1 x 3,2 polegadas |
